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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NXH450B100H4Q2F2SG
| Artikelnummer: | NXH450B100H4Q2F2SG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $225.06 |
| 12+ | $215.5492 |
| 36+ | $210.7944 |
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
onsemi NXH450B100H4Q2F2SG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NXH450B100H4Q2F2SG.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1000 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 150A Supplier Device-Gehäuse 56-PIM (93x47) Serie - Leistung - max 234 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften NTC-Thermistor Yes Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 9.342 nF @ 20 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 600 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 101 A Konfiguration 2 Independent -
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